IT之家讯 人类对手机数据处理能力的需求不断提升。更快的CPU、更快的存储响应、同时功耗还必须更低，有更强的续航时间。技术厂商们也不遗余力的研发新技术，近日，镁光就曝光了自家可变电阻式ReRAM。
ReRAM是电阻式RAM，既拥有动态RAM的超高读写速度也拥有PRAM的非易失性，它拥有更快的读写速度的同时耗电也更低，应用在手机上最直接的感受便是载入速度提高、续航时间提高。该技术由夏普公司、Elpida公司和东京大学联合研发，包括索尼、松下、海力士和镁光在内的企业都致力于将其推向市场。
镁光和索尼联合研发ReRAM，其基本原理和Crossbar RRAM类似，同样是非易失性存储，强调电阻可变。
镁光在IEEE IEDM 2014国际电子设备大会上上公布的原型ReRAM采用了27nm CMOS工艺制造，单颗容量16Gb(2GB)，内核面积168平方毫米。作为原型，它采用了DDR内存接口，但后期很容易替换。
镁光表示，该产品理想的指标是读写带宽1000MB/s、200MB/s，读写延迟2微秒、10微秒，而目前的原型可以发挥大约九成的功力。
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