IT之家5月15日消息 IMW 国际储存器研讨会2018目前在日本京都举行，在会上邀请到超过100名参业内人士参与，来自半导体设备制造商应用材料公司的Sean Kang发表题为“3D NAND 技术及缩放材料、工艺、设备展望”的演讲，提及到未来3D NAND Flash 的发展趋势，预计到2021 年3D NAND Flash 的堆叠数将会增加到140 层以上，同时会较现在的变得更薄。
在今年内 3D-NAND 堆叠层数将会发展至超过 90 层，到后年即 2020 年层数会升级至 120 层，路线图更预期至 2021，3D-NAND 堆叠将可超过 140 层。
3D NAND Flash 技术在现在广泛被使用，其设计与2D NAND 相反，储存器单元不在一个平面内，而是一个堆叠在另一个层之上，以这种方式每颗晶片的储存容量可以显著增加，而不必增加晶片面积或者缩细单元，使用3D-NAND 可以实现更大的结构和单元间隙，这有利于增加产品的耐用性。
东芝及西数已计划在今年大规模生产新的96层BiCS4 储存晶片，至于三星也在发展QLC NAND 晶片，将会在第五代V-NAND技术实现96层这一目标，并在此基础上推出首款128 TB SSD。
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