IT之家7月25日消息 根据HKEPC的消息，三星在日本宣布已正式量产90堆叠层数的第5代V-NAND，单芯片容量达到 1TB，同时将会在今年内推出32TB容量的TLC NAND SSD。
据报道，三星容量 1TB的单芯片颗粒可达到1.2GB每秒读取速度，采用M.3 规格，相比M.2 SSD更宽，好处是可以并排放下两组NAND Flash，有助于提高储存容量。
IT之家之前曾报道，东芝的96层QLC闪存单张闪存芯片容量可以达到2.66TB。基于1.33Tb核心的QLC闪存，东芝开发出了16核心的单芯片闪存，一颗闪存的容量就有2.66TB，现在QLC闪存的帮助下单芯片封装实现了2.66TB的容量，是之前的5倍多。
另外，根据统计机构的数据，在保持目前的普及增长率的同时，SSD的出货量将会在2020年超越HDD，在未来四年内，SSD的销售量将以每年平均20.7％的速度增长，对HDD硬盘的需求将每年减少7.3％。
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