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爆料:三星计划使用 14nm FinFET 工艺打造 1.44 亿像素传感器

2019/12/16 17:20:06来源:IT之家作者:沧海责编:沧海评论:

IT之家12月16日消息 冰宇宙爆料称,三星计划使用14nm FinFET工艺制造1.44亿像素传感器。

冰宇宙曝出的图显示,手机CMOS图像传感器的市场趋势是递增的,传感器像素从小于1000万像素到大于1亿像素。三星希望在超过1亿像素密度的情况下使用14nm技术,辅以FinFET工艺还能有效降低传感器的功耗。

目前,暂无更多有关三星14nm FinFET工艺及1.44亿像素传感器的爆料消息。

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关键词:三星

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