内容字号:默认大号超大号

段落设置:取消段首缩进段首缩进

字体设置:切换到微软雅黑切换到宋体

业界
软件
手机
数码
电脑
学院
测评
图赏
视频
游戏
原创
直播
 AI
5G
苹果
微软
iPhone
Win10
精准搜索请尝试:精确搜索

国家存储器基地项目二期于武汉开工:月规划产能 20 万片

2020/6/21 9:42:16来源:TechWeb作者:行者崟涛责编:微尘评论:

国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工。国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设,计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。

国家存储器基地项目一期于2016年底开工建设,进展顺利,32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产,并成功研制出全球首款128层QLC三维闪存芯片。

项目计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂,总投资240亿美元。

其中,一期主要实现技术突破,并建成10万片/月产能;二期规划产能20万片/月,两期项目达产后月产能共计30万片。

相关文章

关键词:存储器武汉

IT之家,软媒旗下科技门户网站 - 爱科技,爱这里。

Copyright (C)RuanMei.com, All Rights Reserved.

软媒公司版权所有