如果说此前封装技术还被认为是归于产业链后端流程的技术，现在“时代变了”。
台积电在官网关于 3D 封装如此介绍，计算工作的负载在过去十年中的发展可能比前四个十年都要大。云计算、大数据分析、人工智能 (AI)、神经网络训练、人工智能推理、先进智能手机上的移动计算甚至自动驾驶汽车，都在推动计算向极限发展。
在这过程中，封装技术也被推向了创新的前沿，其对产品的性能、功能和成本有着至关重要的影响。也因此，封装技术不再是后端流程的“专属”，晶圆代工巨头也开始纷纷入局。
晶圆代工龙头台积电在先进封装的超前布局
近日，因为疫情因素，行业热点大会 Hot Chips 33 在线上展开。台积电 Pathfinding for System Integration 副总经理余振华主要分享了台积电的 chiplet（小芯片）和 3D 封装技术。
余振华介绍了台积电 3D Fabric 技术平台的细节，该技术平台包含台积电前端芯片堆叠 SoIC 技术和后端先进封装 CoWoS 和 InFO 技术。
其实，早于 2020 年，台积电就表示已整合旗下 SoIC、InFO 及 CoWoS 等 3D IC 技术平台，并命名为“3D Fabric”。
根据 PPT 展示，SoIC 技术包括 CoW 和 WoW 两种键合方式。根据互连方式的不同，InFO 可以分为 InFO-R 和 InFO-L 两种；CoWoS 则分为 CoWoS-S、CoWoS-R 和 CoWoS-L 三种。
余振华认为，封装领域正在发生新的变化，主要包括以下两点：
-小芯片和 3D 先进封装技术将会开启一个新时代；
-从 CMOS 转变到 CSYS（互补系统、SOC 和小芯片集成），可以实现从摩尔到超越摩尔的过渡；
台积电还对 3D Fabrics 进行了更新。随着时间发展，台积电的先进封装技术也会从 InFO 和 CoWoS 变为 SoIC+InFO、SoIC+CoWoS 的方式。台积电还介绍了包括拥有针对移动 AP 的 InFO_B (Bottom Only) 技术和针对 HPC 的 chiplet 集成技术 InFO-R/oS 的更新。
面向超高性能的计算系统，台积电也提供了 InFO_SoIS 和 InFO_SoW 两种技术。并且，该技术可以确定使用在 tesla 最新的 AI 芯片上。
值得一提的是，InFO_SoW 是业界第一个全晶圆异质集成技术，在带宽密度和 PDN 阻抗上具有显著优势。
接下来是 CoWoS-S 封装技术。该技术已经量产超过十年，且拥有极高的良率和质量，能够为先进的 SoC 和 HBM 集成提供友好支持。
台积电预计将在今年晚些时候发布第 5 代 CoWoS-S 封装解决方案，这将使晶体管数量比第 3 代封装解决方案增加 20 倍。新封装将增加 3 倍的中介层面积、8 个 HBM2e 堆栈（容量高达 128 GB）、以及提供全新的 TSV 解决方案。
到第 6 代，新封装将拥有更大的掩模版面积，以集成更多的小芯片和更多的 DRAM 封装。
接着，余振华介绍了台积电 3D 芯片堆栈 ——SoIC。按照规划，台积电在 CoW 方面正在开发 N7-on-N7 和 N5-on-N5 等；WoW 方面，台积电则在开发 Logic-on-DTC（Deep Trench Capacitor）。
此外，台积电也公布了其 SoIC 研发进度。当前，CoW 和 WoW 都为 N7/N6 工艺，预计明年将会实现基于 N5 工艺。
会上，还透露了台积电芯片互连路线图，预计将于 2035 年前实现 1μm 以内的 SoIC 互连。
在介绍完了封装技术外，余振华还介绍了台积电的全新异构集成技术，包括现金的热解决方案和硅光集成。
余振华最后总结了以下三点内容：
1.台积电 3D FabricTM 技术平台将继续扩大封装规模，减少 3D 堆叠互连密度，从而提升功耗表现。
2.利用 3D Fabric 集成创新的 SiPh 组件 (COUPE) 可进一步增强系统性能；
3.新的微型冷却系统-ISMC 和 DWC 也可以解决热能瓶颈，以实现更多的 3D 堆叠。
先进封装未来可期
近日，中国台湾工业技术研究院研究总监杨锐预测，台积电将再主导芯片制造行业五年，此后 3D 封装将成为主要工艺挑战。
其实，除了台积电之外，英特尔和 AMD 均在本次大会上提到了 3D 封装技术。此外，另一家行业巨头三星同样也在加强部署 3D 封装技术。为何 3D 封装技术会成为行业巨头们“不约而同”的选择？
在过去的十年里，各种计算工作量发展迅速，但摩尔定律却面临着失效的风险。面对更多样化的计算应用需求，为了将更多的功能“挤”进同一个芯片中，先进封装技术成为持续优化芯片性能和成本的关键创新路径。
由此，也将带动先进封装市场的荣景。根据 Yole Developpement 最新的数据，2020 年至 2026 年，先进封装市场复合年增长率约为 7.9%。到 2025 年，该市场营收就将突破 420 亿美元，这几乎是传统封装市场预期增长率 (2.2%) 的三倍。
其中，3D 封装在集成度、性能、功耗等方面更具优势，同时设计自由度更高，开发时间更短，是各封装技术中最具发展前景的一种。当前，随着高效能运算、人工智能等应用兴起，加上 TSV 技术愈来愈成熟，可以看到越来越多的 CPU、GPU 和存储器开始采用 3D 封装。
根据 Yole、集微咨询综合整理，按晶圆数量（折合 12 英寸）来看，2019 年约 2900 万片晶圆采用先进封装，这一数字到 2025 年增长为 4300 万片，复合年均增长率为 7%。其中倒装技术占比最高，晶圆数量达 3072 万片，3D 封装增速最快，CAGR 约为 25%。
总结：随着行业巨头的涌入和超前布局，3D 先进封装的未来已逐渐明朗。“后摩尔时代”，先进封装技术的未来值得期待。
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