SK 海力士拟年内试产 238 层 NAND 闪存

2022/7/28 21:20:08 来源:爱集微 作者:李沛 责编:汪淼

SK 海力士在近日举行的二季度财报电话会议上透露,计划在年内完成 238 层 NAND 试产,并在 2023 年上半年实现量产。

针对美光近期量产 232 层 NAND 的动态,海力士方面表示各家厂商产品发布节奏不同,存储市场目前应专注于提高盈利能力,海力士的目标是实现行业最高水平的盈利能力。

公司方面还表示,计划今年年底实现主力产品 176 层 4D NAND 以晶圆形式出货占比 70%,以进一步提升毛利率。

针对 DRAM 市场行情,海力士方面表示,尽管目前 DRAM 的平均售价(ASP)走低,但成本下降足以弥补 ASP 变化,公司方面预计今年 DRAM 出货量将增加约 10%,NAND 闪存出货量增加 20%。

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