SK 海力士宣布，于当地时间 27 日在美国印第安纳州西拉斐特的普渡大学霍洛威体育馆举行了面向 AI 的存储器先进封装生产基地奠基仪式。
当天的奠基仪式，美国政界代表作、SK 集团美洲主管副会长俞柾准、副会长李亨熙、SK 海力士 CEO 郭鲁正等高管也一同参加。
■ 美国首个 HBM 生产基地，投资超 40 亿美元
总投资额将超过 40 亿美元的印第安纳晶圆厂，预计于 2028 年 10 月完成无尘室建设，并于 2029 年下半年启动新一代 HBM 量产。未来随着生产全面步入正轨，该基地有望发展成为拥有 1000 余名员工的美国核心 HBM 生产基地。
特别是印第安纳晶圆厂作为 SK 海力士在美国设立的首个 HBM 生产据点，其特点在于基于韩国与美国生产体系的紧密连接进行运营。在韩国生产的先进晶圆将运至印第安纳，经过先进封装和测试后，“美国制造”HBM 产品将直接供应给美国客户。
此外，公司还将与生产线同步构建“先进封装研发测试床”，以便与客户、大学及商业合作伙伴共同开发下一代封装技术，并能够快速推进原型试制与性能验证。
■ 携手当地合作伙伴，强化生态系统合作
目前，超过 100 家涵盖材料、零部件及设备等领域的合作伙伴正就进驻西拉斐特事宜进行洽谈，此举不仅将为印第安纳晶圆厂的稳定运营提供有力支撑，预计还将进一步夯实当地 AI 生态系统。SK 海力士计划通过晶圆厂的建设与运营，与美国本土企业共同创造约 7000 个直接及间接就业岗位。
■ 与普渡大学签署研发合作谅解备忘录
SK 海力士在奠基仪式上与普渡大学签署了先进封装领域研发合作的谅解备忘录。
双方将基于谅解备忘录加强研发合作，共同研究包括 HBM 在内的下一代系统集成及先进封装技术。此外，SK 海力士计划扩大与美国中西部地区主要高校及研究机构的合作，致力于培养和引进全球顶尖人才。