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3D NAND预计2021年可实现140层堆叠:三星将推128 TB SSD

2018-5-15 22:23:49来源:IT之家作者:孤城/实习责编:孤城/实习评论:

IT之家5月15日消息 IMW 国际储存器研讨会2018目前在日本京都举行,在会上邀请到超过100名参业内人士参与,来自半导体设备制造商应用材料公司的Sean Kang发表题为“3D NAND 技术及缩放材料、工艺、设备展望”的演讲,提及到未来3D NAND  Flash 的发展趋势,预计到2021 年3D NAND Flash 的堆叠数将会增加到140 层以上,同时会较现在的变得更薄。

在今年内 3D-NAND 堆叠层数将会发展至超过 90 层,到后年即 2020 年层数会升级至 120 层,路线图更预期至 2021,3D-NAND 堆叠将可超过 140 层。

3D NAND Flash 技术在现在广泛被使用,其设计与2D NAND 相反,储存器单元不在一个平面内,而是一个堆叠在另一个层之上,以这种方式每颗晶片的储存容量可以显著增加,而不必增加晶片面积或者缩细单元,使用3D-NAND 可以实现更大的结构和单元间隙,这有利于增加产品的耐用性。

东芝及西数已计划在今年大规模生产新的96层BiCS4 储存晶片,至于三星也在发展QLC NAND 晶片,将会在第五代V-NAND技术实现96层这一目标,并在此基础上推出首款128 TB SSD。

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关键词:固态SSD

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