并非eMMC/UFS,苹果iPhone6s内部闪存是NVMe

2015/9/29 13:53:52 来源:超能网 作者:Strike 责编:弥尘

iPhone6siPhone6s Plus在硬件的规格上有了很大的提升,但是它们身上的变化远没有苹果在发布会上所提到的A9处理器、1200万摄像头以及3D Touch那么简单,内存升级到2GB LPDDR4苹果就只字没提到,其实这两台手机上有着更大的秘密,它们的存储设备既不是eMMC也不是UFS规范,而是NVMe。

Anandtech透过深度发掘手机内的系统文件,发现iPhone 6s所用的是型号为AP0128K的苹果SSD,而2015版MacBook上所用的SSD型号为AP0256H,这两者在命名上很相似。

他们发现iPhone 6s上的SSD用的不是传统eMMC所用的SDIO接口,而是PCI-E,这个PCI-E也不电脑上的那个,是基于MIPI M-PHY物理层的PCI-E,使用NVMe接口协议,UFS规范走的也是PCI-E物理层同样是MIPI M-PHY,不过接口协议是SCSI。

一般来说现在智能手机都是使用eMMC规范的闪存存储装置,今年三星在Galaxy S6系列手机上推行了UFS 2.0规范的存储装置后手机的闪存读写性能获得显著提升,大幅抛离其他手机,现在苹果要在iPhone 6s系列手机上使用的NVMe则更是电脑上用的最新规范。

从iFixit拆解iPhone 6s和iPhone 6s Plus的照片上来看,上面闪存也只有一颗,没看到控制器,可以推断这个芯片其实已经整合了控制器以及NAND Flash,Anandtech读出了他们所测的机器上的闪存内部信息,NAND型号是1Y128G-TLC-2P,也就是说使用1Y nm工艺的TLC NAND,容量为128GB。

下面是iPhone 6s的闪存性能测试,大家来感受一下NVMe的威力:

连续读取速度是402MB/s,远远抛离上代产品

连续写入速度为164MB/s,比上一代产品翻了一翻

4K随机读取速度为22.5MB/s,比上代也有大幅提升,不过没三星的Galaxy S6强

4K随机写入速度为2.2MB/s,也较iPhone 6有很大提升,不过手机与平板这项表现都偏弱

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