三星开始量产第二代 10nm FinFET 工艺 SoC:产品明年见

2017/11/29 11:05:56 来源:IT之家 作者:远洋 责编:远洋

IT之家11月29日消息 三星电子今天宣布,已经开始大批量生产基于第二代10纳米(nm)FinFET工艺技术10LPP的片上系统(SoC)产品。

▲位于韩国华城的三星电子的S3生产线

三星称,与第一代10nm工艺技术10LPE(低功耗早期)相比,10LPP工艺技术可使性能提高10%,功耗降低15%。由于该工艺源于已经证实的10LPE技术,因此可大幅缩短从开发到批量生产的周转时间,并提供更高的初始生产良率,从而具有竞争优势。

采用10LPP工艺技术设计的SoC将用于计划于明年年初推出的电子设备。三星电子代工市场营销副总裁Ryan Lee表示:“通过从10LPE向10LPP的过渡,我们将能够更好地为客户提供服务,同时提高性能,提高初始产量。”

三星电子还宣布,位于韩国华城的最新生产线S3正准备加速生产10纳米及以下工艺技术。S3是三星代工业务的第三家晶圆厂,其它两家分别是位于韩国Giheung的S1和位于美国奥斯汀的S2。三星的7nm FinFET工艺技术与EUV(Extreme Ultra Violet)也将在S3大批量生产。

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关键词:SoC三星

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