随着近来努比亚Z9、小米Note顶配版、乐视超级手机1、华为P8等一大波新机的相继发布，高通、三星LSI、联发科、海思四家芯片厂商在2015年上半年主打的旗舰产品也一同面市，它们分别是“高烧不退惹人忧”的骁龙810、成功“逆袭”的三星Exynos 7420、更换“高大上”新名称的联发科Helio X10（MT6795）以及“低调”的海思麒麟935。
4月底时，著名市场调研机构Strategy Analytics（SA）正式发布了《2014年全球智能手机SoC芯片市场统计报告》。数据显示，在过去的一年中，高通凭借52%的市场份额独占鳌头；联发科的市场份额为14%；三星LSI则创下六年来的新低，排在第五位。这里并没有海思的数据，不过据潘九堂等产业人士透漏，随着去年Mate7等机型的成功，海思目前已经摆脱了亏损状态。
时至2015，智能手机SoC芯片市场却迎来了诸多令人意外和惊讶的新变化。先是高通骁龙810曝出过热问题，优化上的巨大难度让不少厂商的旗舰新机相继延期；其次是豪赌14NM工艺的三星甩开高通，直接在Galaxy S6、S6 Edge上全面使用自家的Exynos 7420，堪称逆袭级别的强大表现，让人对三星刮目相看；而工艺落后的联发科和海思，无法搞定发热大户Cortex-A57，转而在低功耗的Cortex-A53上大做文章。被扣实中低端帽子的联发科，还试图通过更名的方式重塑高端新形象。
IT之家刚好凑齐了搭载上面四款最新SoC芯片的机型，于是乎笔者就任性一把为大家带来这四款市售主流SoC芯片的详细介绍以及横向对比，我们一起来近距离感受下这四款强大内芯。
一、骁龙810、三星Exynos 7420、联发科Helio X10（MT6795）、麒麟935全面解析
1、高烧不退惹人忧的高通骁龙810：由于自家的下代Kryo架构延期，高通在旗舰SoC骁龙810上也采用了来自ARM的64位Cortex-5X公版架构。
具体来看，骁龙810搭载4个2.0GHz主频的Cortex-A57核心+4个1.5GHz主频的Cortex-A53核心；GPU则采用了高通自家的Adreno 430；集成双核SIP，最高可支持5500万像素的摄像头；基带芯片最高可提供LTE CAT6速率级别的4G全网通能力；内存控制器可支持双通道LPDDR4（1600MHz），有效带宽25.6GBps，基于20NM工艺制造。
至于骁龙810过热的具体原因，坊间目前流传有多种说法。一种是归咎于台积电的20NM工艺问题；另一种则是ARM的Cortex公版架构与自家的Adreno显示核心之间的匹配出现了问题，至于哪个才是真的，目前尚不清楚。
2、逆袭的三星Exynos7420：跳过20NM工艺，直接豪赌14NM FinFET工艺的三星终于在今年得到了回报。搭载自家Exynos 7420的Galaxy S6、S6 Edge不仅成功避开了骁龙810延期的影响提前上市，而且对于改善三星创新乏力的形象作用显著，它的实际性能也十足让人惊喜了一把。
从具体架构上来说，Exynos 7420采用4个2.1GHz主频的Cortex-A57核心+4个1.5GHz主频的Cortex-A53核心组成异步大小核架构，GPU部分则采用了八核的Mali-T760 MP8，主频为772MHz，基于14NM FinFET工艺制造，基带芯片能达到LTE CAT6级别，内存控制器可支持双通道LPDDR4（1552MHz），有效内存带宽24.8GBps。
3、更换高大上新名称的联发科Helio X10（MT6795）:联发科MT6795依然基于28NM工艺打造，技术上无法搞定相比A53性能提升56%，但功耗同时高出256%的Cortex-A57架构。因此，联发科选择了同时搭载8个Cortex-A53核心，标准版MT6795主频为2.0GHz，高主频版本MT6795T主频则提升到2.2GHz，而且是8核全部可以超频到这一主频。
其他部分，MT6795则比较普通，GPU依然沿用6595上的Power VR G6200，内存控制器支持双通道LPDDR3 933MHz内存，基带芯片速率为LTE CAT4级别，双2000万像素ISP，有效内存带宽为14.9GBps，参数相对比较普通。
4、低调的海思麒麟930/935：之所以说是低调，是因为海思对这款在MWC2015上首度亮相的旗舰SoC一直讳莫如深，直到荣耀X2在国内发布，我们才知道其具体参数情况。
和联发科一样，麒麟930、935也是基于28NM工艺打造，与MT6795不同的是，海思采用4个高主频的A53e核心（930为2.0GHz，935为2.2GHz）+4个1.5GHz低主频的A53核心组成异步八核架构，GPU部分为四核的Mali T628 MP4、主频680MHz。LTE基带芯片速率可达LTE CAT 6级别，支持海思独家的TAS智能天线调节技术。看来联发科和海思都要选择跳过目前的Cortex-A57，待工艺进步后，直接上更强悍的Cortex-A72架构了。
二、市售四款主流旗舰级SoC芯片性能实测
看过上面的解析后，SoC芯片究竟如何还是要拉出来实测一把才能知晓。像目前顶级的骁龙810这种级别的旗舰处理器，即使不做优化，日常使用也绝对不会感到明显的卡顿现象。基准跑分测试，早已不再是衡量一款手机流畅与否的标尺，至少不能直接将跑分高与流畅好用划上等号。厂商针对性的优化以及跑分软件自身的因素，也使得跑分本身的说服力大不如前。
但对于本次市售主流SoC芯片对比实测来说，相同的测试工具无疑为我们提供了一个统一的标准。
• 测试方法
本次测试我们将分别对CPU、GPU以及芯片在持续工作状况下的稳定性进行测试。
1、CPU、GPU测试选用的软件分别为跨平台权威测试软件GeekBench 3.0以及GFXBench 3.0.32，对于国产手机厂商常用的安兔兔V5.7 64位版，我们也进行了相应测试。
2、持续工作下的稳定性测试，我们使用了更接近日常使用环境测试的StabilityTest（测试项：CLASSIC STABILITY TEST）进行压力测试，并使用3C Toolbox Pro对SoC的实时工况进行监测记录。
3、另外，我们也安排了28分钟的GFXBench电池压力测试，通过连续运行30次高水平的霸王龙场景测试，查看其性能的变动情况，并记录这个过程中的最高温度。该测试更加接近大家日常玩大型3D游戏时的状态。
• 参测机型简介
本次参与测试的机型分别为搭载高通骁龙810的努比亚Z9（经典版）、搭载Exynos 7420的三星Galaxy S6 Edge、搭载海思麒麟935的华为P8高配版以及搭载MT6795的乐视超级手机1。具体配置信息如下图所示:
▲从左到右，每列单元格分别对应机型名称、SoC芯片名称、GPU型号、内存容量（其中三星S6 Edge、努比亚Z9用的都是LPDDR4内存，其余两部机型仍为LPDDR3）、机身存储容量、屏幕尺寸、分辨率、后置摄像头像素、前置摄像头像素，搭载的ROM或OS。
CPU测试
GeekBench 3.0 CPU测试分为蓝色的单线程测试以及绿色的多线程测试，单线程性能更能体现日常应用情况，而多线程则对于多任务以及大型3D游戏的运算更加重要。从单线程性能来看，使用了Cortex-A57高性能架构的骁龙810以及Exynos 7420明显超出对手，骁龙810过于严格的发热降频锁核限制了它的发挥，Exynos7420则是将A57的性能优势表现的淋漓尽致。也是参测四款SoC中，唯一一个单线程跑分破千的。
联发科MT6795以及麒麟935均采用了高主频A53核心，单线程方面，麒麟935凭借高出的200MHz主频略微胜过MT6795，应该与MT6796T性能一致。
多线程运算方面，联发科MT6795凭借八个A53核心全部超频的鸡血状态，甚至跑过了三星Exynos 7420，高主频优势明显。而骁龙810在这个过程中，四个A57核心仅仅坚持了几秒钟便相继退出，仅仅依靠四个A53外加偶尔觉醒下的A57勉强支撑，跑分与麒麟935比较趋近。
GPU测试
如果说CPU能一定程度上影响大型3D游戏等图形、图像多媒体应用的表现，那么GPU则是起着决定性的作用。我们首先抛开分辨率上的差别，让四款SoC都运行在1080P级别下，看一看他们的“离屏”性能。
三星Exynos 7420的表现令人印象十分深刻，八核高主频Mali-T760的表现甚至超过了骁龙810引以为豪的Adreno 430。但是，三星S6以及S6 Edge今年都采用了2K分辨率屏幕，增加的像素需要额外耗费一定的资源进行渲染。在实际2K分辨率测试情况下，Exynos 7420 GPU性能下降大约在33％左右。
在下面的图表中，我们加入了一项Exynos 7420（2K）来看看它在四款SoC中的实际表现。没有任何标注的Exynos 7420则为1080P离屏状况下的测试数据。
联发科和海思的GPU分别与前代魅族MX4上的MT6595以及Mate7上的麒麟925基本一致，联发科的PowerVR G6200实际性能稍好些，麒麟935的GPU能力实在是太弱了。
安兔兔跑分测试
▲努比亚Z9安兔兔跑分测试
▲三星Exynos 7420安兔兔跑分测试
▲华为P8跑分测试
▲乐视超级手机1跑分测试
▲在大多数情况下，厂商一般只会公布安兔兔总体跑分情况，在未经过特别优化的情况下，它更多的是反应一款手机的整体状况，其中还包括了存储性能、内存芯片性能等的测试，作为对单纯SoC的衡量，我们还是需要对比看下其中的具体分项测试数据。单纯用总分来描述SoC并不准确。
日常压力测试下，SoC芯片CPU稳定性测试
▲在使用StabilityTest进行日常压力测试的情况下，高通骁龙810仅仅开启四颗A53核心进行处理（有一定的规律性频率波动），A57仅会在应用程序切换等特殊环境下，选择性的开启其中的一到两个核心进行短暂的辅助。
▲采用14NM FinFET工艺的三星Exynos 7420则明显从容的多，四个低功耗Cortex-A53核心可以全负荷参与日常处理。在负载提升的情况下，四个高主频Cortex-A57也会同时增加频率给予及时支持，整体频率图非常稳定。
▲海思麒麟935的八个A53核心都可以参与日常任务处理，随着运行时间延长后温度提升，麒麟935会逐步降低高主频A53e的频率，最终八个核心均以较低主频运行。
▲联发科MT6795在日常压力测试环境下的频率波动非常大，8个A53核心在触碰到一定的温度限制后，逐个关闭核心以降低温度，当温度回落后，则再次尝试全部开启所有核心，如此循环往复，它也是四款SoC中波动情况最为明显的。
30分钟高强度压力测试
▲在长达30分钟的高强度霸王龙场景测试中，骁龙810的整体性能表现逐步下滑，过程比较平滑，骁龙810的GPU稳定性表现不错，在1080P分辨率状况下，整个过程中运行十分流畅，完全没有卡顿情况。整个过程中的实测最高温度为47.9摄氏度。
▲Exynos 7420在初步的下滑后，在接近20分钟的时间里一直保持惊人的稳定性，再使用了高主频八核Mali-T760的情况下，还能做到这种水平，14NM FinFET的工艺作用的确显著。在实际测试过程中，2K分辨率下的游戏画面也非常流畅，性能绝对够用。整个过程中的实测最高温度为47.3摄氏度。
▲海思935由于本身的GPU比较弱，在28分钟的测试过程中，整体表现出台阶式的性能滑坡。在实际测试过程中，海思935的测试画面也是四者中最卡的，整体画面较为拖沓，后期可见比较明显的卡顿，体验较差。整个过程中的实测最高温度为37.5摄氏度。
▲和前面的日常压力下CPU测试一样，联发科MT6795整体波动较大，八核随着时间的延长依次关闭，对性能影响显著。在实际测试过程中，一开始的测试画面整体比较流畅，到测试末期则出现了比较明显的掉帧和拖沓现象。整个过程中的实测最高温度为43.1摄氏度。
我们还在这个测试过程中加入了一段实际演示运行视频，一起来看看（IT之家移动客户端用户若无法观看视频，请点此查看）。
总结
通过上面的全面解析以及多个场景下的测试，我们可以发现在如今的64位架构ARM Cortex-A5X时代，三星凭借着14NM FinFET工艺的巨大优势，充分的释放了A57的高性能优势，GPU部分也大幅补强，这对于今年三星S6、S6 Edge形象提升作用巨大，同时也能够吸引到苹果、高通等大客户的关注。
而骁龙810经过厂商们的持续优化，A57带来的过热问题被抑制在合理的范围内，当然CPU性能上难免会有所打折。强大的GPU普遍与1080P屏幕搭配，则充分体现了它在GPU方面的巨大优势，可以说作为一名游戏以及大型应用爱好者，骁龙810仍然是你的不二选择。深受过热问题困扰的高通，已经将未来全部押宝在下一代自主架构上，Zeroth神经学习技术等的加入，以及在基带芯片上的巨大优势，才是高通未来的真正优势所在。在用户以及厂商们普遍认识到性能已经过剩的情况下，再推出一个十核架构的骁龙818似乎意义不大。
联发科与海思推出八个A53核心架构的SoC芯片，更多的还是出于无奈之举，这两款芯片至少不会让二者在64位大时代被抛下。定位更加偏向商务用户的华为继续沿用与麒麟925性能基本相似的SoC也算合理。近日，联发科已经发布了拥有十核心架构的Helio X20，依然可以让其坐享“跑分之王”很长一段时间。对于未来，两者显然已经把目光投向了更远的14NM以及16NM工艺节点。
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