感谢IT之家网友 Star2011 的投稿
今年4月，IT之家曾经对UFS/eMMC/LPDDR等不同的存储介质进行了科普。随着UFS的普及，多数人可能更关心UFS2.0/UFS2.1之间的具体区别，下面就带各位IT之家读者一探究竟。
2013年9月，JEDEC发布了UFS 2.0的闪存存储标准，其最大的特点是采用串行数据传输，全双工模式，支持指令队列。相比EMMC读取写入分开进行的半双工模式，UFS的全双工模式意味着读取和写入可以同时进行。指令队列的加入意味着无需再向EMMC5.1之前的版本一样，每一条指令的提交必须等待前一条指令的完成。
UFS 2.0闪存读写速度强制标准为HS-G2（High speed GEAR2），可选标准为HS-G3。HS-G2 1Lane最高读写速度为2.9Gbps（约为360MB/s），2Lane最高读写速度为5.8Gbps（约为725MB/s）。可选标准HS-G3 1Lane最高读写速度为5.8Gbps（约为725MB/s），2Lane最高读写速度为11.6Gbps（约为1.45GB/s）。HS-G2 1Lane由于读写速度与EMMC5.1相比没有明显的优势，相应的商业产品较为罕见。
UFS系统模型
2016年3月，JEDEC发布了UFS 2.1的闪存存储标准。相比UFS2.0，速度标准没有任何变化，仍然为强制标准HS-G2，可选标准HS-G3。改进主要分为三部分：设备健康（包括预防性维护）、性能优化（包括指令优先和固件升级）和安全保护。设备健康信息包括剩余预留块和设备使用寿命信息，指令优先允许向紧急的任务分配更高的优先级，安全保护则支持操作系统和应用级别细粒度的写入保护（包括UFS控制器硬件级别加密）。
UFS2.1/UFS2.0采用相同的速率标准
UFS2.1（JESD220C） / UFS2.0（JESD220B）区别
对于闪存制造商而言，由于UFS2.0已推出HS-G3 2Lane对应的版本，UFS2.1选用更低的标准不再有太多的意义。因此市面上UFS2.1全部采用可选的HS-G3 2Lane标准，即最高读写速率为11.6Gbps。
需要提醒的是，部分手机制造商更青睐宣传HS-G3 2Lane两倍的读写速度（11.6Gbps，接近1.5GB/s），并将其作为"UFS2.1"的事实标准。以三星S8和华为Mate9使用的东芝UFS2.0闪存为例，型号为THGBF7G9L4LBATR的产品采用HS-G3 2Lane标准，最高读写速率为1166MB/s，与三星S8+使用的东芝UFS2.1闪存THGAF4G9N4LBAIR在最高读写速率上没有区别。然而，后者得益于全新的产品，其顺序读取、顺序写入、随机读取、随机写入比前者分别快40%、16%、120%、80%。
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