IT之家9月29日消息 据中证网报道，9月28日上午10时，由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北省集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目（一期）一号生产及动力厂房，实现提前封顶。这标志着开工9个月的国家存储器基地项目建设向前迈出了坚实一步。
据悉，国家存储器基地项目位于武汉东湖高新(600133,股吧)区的武汉未来科技城，项目一期规划投资240亿美元（约合人民币1600亿元），占地面积1968亩，于2016年12月30日正式开工建设，将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash生产厂房，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。
此次提前封顶的项目（一期）一号生产及动力厂房建筑面积达52.4万㎡，预计将于2018年投入使用。项目（一期）达产后，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。
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