IT之家12月20日消息 三星电子今天宣布，已经开始批量生产业界领先的10纳米级（1y-nm）， 8-gigabit (Gb)的DDR4 DRAM的第二代产品。对于上一代产品来说，新的8Gb DDR4具有8Gb DRAM芯片最高的性能和能源效率，以及更小的尺寸。
三星电子方面表示：“通过开发DRAM电路设计和工艺技术的创新，我们已经突破了DRAM扩展性的主要障碍。通过第二代10nm级DRAM的快速增长，我们将更加积极地扩展我们整体的10nm级DRAM的产品产能，以适应强劲的市场需求，并继续加强我们的业务竞争力。”
三星的第二代10纳米级8Gb DDR4比第一代10纳米级8Gb DDR4的生产率提高了近30%。此外，由于采用了先进的专有电路设计技术，新的8Gb DDR4的性能水平和能效分别提高了约10%和15%。新的8Gb DDR4每个引脚可以以每秒3,600兆比特（Mbps）的速度运行，而该公司的1x-nm 8Gb DDR4的速度为3200Mbps。
为了实现这些成就，三星应用了新技术，而不使用EUV工艺。这里的创新包括使用高灵敏度的细胞数据传感系统和渐进的“空气间隔”方案。
在三星第二代10nm级DRAM的单元中，新设计的数据传感系统可以更准确地确定每个单元中存储的数据，从而显着提高电路集成度和制造效率。
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