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英伟达GTX 1180详细参数偷跑:12纳米FinFET工艺,GDDR6显存

2018/4/18 17:30:07 来源:IT之家 作者:孤城 责编:孤城

IT之家4月18日消息 根据香港媒体HKEPC报道,英伟达最新的GTX1180显卡将基于图灵构架,(有网友指出应该是伏特构架),12纳米FinFET工艺,采用GDDR6显存,消息称或将在今年7月份发布,售价将会在699美元左右,约合人民币4400元。

根据HKEPC的消息,新款GTX1180将采用NVIDIA GT104核心,GPU尺寸为400mm²,拥有3584个CUDA核心,位宽为256,GDDR6显存容量为8到16GB,显存总带宽为512GB/s。

GTX1180将有1.6GHz的核心频率,可超频至1.8GHz,TDP尚未确认,预计在170W到200W之间,略微领先于 Titan Xp 及 GTX 1080 Ti,另外因为效能的提升,功耗会相对降低。

以上为香港媒体HKEPC给出的GTX1080和GTX1180的对比图。

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关键词:英伟达GTX1180GTX1080

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