IT之家7月10日消息 根据HKEPC的消息，三星最新宣布已开始批量生产第五代V-NAND内存颗粒，全新第五代V-NAND采用96层堆叠设计，单模容量为256Gb。三星全新256 Gb储存传输数据的速度最高可达到1.4 Gbps，相当64层NAND Flash增加了40％，并且可实现更低的功耗及大幅减少写入延迟。
三星全新第五代V-NAND在密度进一步增加，由64层提升至96层，三星强调新芯片减少了晶圆上的物理X，Y尺寸，并拥有更高功率及性能。同时，首次使用了Toggle DDR 4.0接口，能够提供高达1.4Gbps的数据传输速度，比上代64层堆叠提升了40％。
全新V-NAND相比64层NAND Flash在性能上有所增强，主要是因为工作电压已从1.8V降至1.2V，同时新的V-NAND迄今为止的数据写入速度最快，达到500 μs，比上一代写入速度提高了约30％，而对读取讯号的反应时间则显示减少到50μs，新的工作电压应有助于延长笔记本电脑的电池寿命，并降低从桌面及数据中心系统的整体功耗。
三星表示，率先会打造单模256Gb容量的V-NAND，与目前大多数三星消费类SSD使用的相同尺寸，预计会在移动及SSD市场中得到广泛应用，未来将会推出基于第五代V-NAND的1Tb及QLC产品。
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