内容字号:默认大号超大号

段落设置:取消段首缩进段首缩进

字体设置:切换到微软雅黑切换到宋体

业界资讯软件之家
Win10之家WP之家
iPhone之家iPad之家
安卓之家数码之家
评测中心智能设备
精准搜索请尝试:精确搜索

三星:3nm工艺最早2021年量产

2019-1-12 13:27:26来源:IT之家作者:浮生责编:浮生评论:

IT之家1月12日消息 在去年5月的Samsung Foundry Forum论坛上,三星宣布了5/4/3nm工艺技术。据今日Tom's Hardware带来的消息,三星计划最早在2021年开始量产3nm工艺芯片。

除此之外,三星方面还表示,将在今年下半年开始生产7nm EUV芯片。在去年,三星还表示将在2020年用上4nm GAAFET(Gate-all-around FET,或称“环绕式结构FET”)工艺。不过包括Garner副总裁Samuel Wang在内的一些业内人士,对GAAFET芯片是否能在2022年前投入生产表示了怀疑。

虽然台积电、格罗方德Global Foundries)在EUV芯片开发上方面并不落后,但三星也有自己的一个优势。三星已经在内部开发了自家了EUV掩膜检测工具,只是尚未开发出类似的商业工具。

相关文章

关键词:三星芯片纳米技术

IT之家,软媒旗下科技门户网站 - 爱科技,爱这里。

Copyright (C)RuanMei.com, All Rights Reserved.

软媒公司版权所有