三星新晶圆生产线即将建成投产,用于制造 V-NAND 闪存芯片

2021/4/16 21:00:56 来源:IT之家 作者:信鸽 责编:信鸽

IT之家 4 月 16 日消息 根据韩国媒体 BusinessKorea 报道,三星韩国平泽市晶圆加工厂的第二条生产线即将建成投产,预计于 2021 年 6 月初完成建设。生产线名称为 Pyeongtaek Plant 2 (P2),紧靠早些时候建设的 P1 生产线。

三星电子位于平泽市的 P1 生产线于 2017 年开始投产,自从 2020 年下半年开始使用 EUV 工艺生产 10nm LPDDR5 内存等产品。新的 P2 生产线于 2018 年开始建设,同样具有先进制程芯片的制造能力,将会用于制造 V-NAND 闪存颗粒。官方表示,P2 生产线将于 2021 年下半年开始投产。

IT之家了解到,三星电子此前位于美国得州的晶圆代工厂因停电而不得不停产,加剧了全球芯片短缺的状况。平泽市 P2 生产线的建成,有望缓解目前全球芯片短缺问题。三星官方此前表示,今年的“不确定性”将持续,但全球芯片需求将会增加,将专注于开发第四代 10 纳米级 DRAM 和第七代 V-NAND

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关键词:三星芯片晶圆

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