SK 海力士将展现更快的 12 层 HBM3 内存,三星预热新 GDDR6 芯片

2022/1/19 8:01:57 来源:IT之家 作者:沐泉 责编:沐泉

IT之家 1 月 19 日消息,根据外媒 VideoCardz 消息,ISSCC 2022(IEEE 国际固态电路大会)即将举办,SK 海力士将展现更快的 12 层堆叠的 HBM3 高速内存。此外,三星将发布速度更快的 GDDR6 芯片。

SK 海力士于 2021 年首次推出了 12 层 HBM3 内存,速度达到了 820 GB/s,而这款芯片的性能如今可以达到 896 GB/s

HBM3 芯片实拍,底部有密集的点阵

SK 海力士这款 HBM3 内存芯片采用 TSV 硅通孔工艺制造,单颗最大容量可达 24GB。目前这类产品在服务器 CPU 中有应用,与处理器核心紧密封装在一起,实现高速率。海力士还表示,这款芯片使用了自动校准和机器学习优化技术。目前,还不知道该产品是否会很快量产。

HBM3 芯片正面照

大会活动介绍

IT之家了解到,文件中三星电子也表示,将展示 16Gb(2GB) 27Gb/s GDDR6 显存芯片,该产品将采用 T-coil 电路结构,实现更高的速度。此前的 GDDR6 显存最高带宽为 24Gb/s,这款新品速度超过了第一代,有望使显卡获得更好的性能表现。

ISSCC 2022 大会将于 2 月 24 日举办,届时 SK 海力士的高管将介绍更详细的内容。

相关文章

关键词:内存海力士HBM3

软媒旗下网站: IT之家 辣品 - 超值导购,优惠券 最会买 - 返利返现优惠券 iPhone之家 Win7之家 Win10之家 Win11之家

软媒旗下软件: 魔方 云日历 酷点桌面 Win7优化大师 Win10优化大师 软媒手机APP应用