英特尔介绍 Intel 4 工艺:2 倍密度,性能提升超 20%,14 代酷睿首发

2022/6/13 19:37:20 来源:IT之家 作者:孤城 责编:孤城

IT之家 6 月 13 日消息,据 AnandTech 消息,英特尔现已分享了一些有关其下一代 Intel 4 工艺的消息。

据报道,该工艺将用于 2023 年发布的产品,它是英特尔第一个采用 EUV 的工艺。

Intel 4 将首先用于英特尔即将推出的 Meteor Lake 处理器,该处理器将属于英特尔第 14 代酷睿家族。除了在工艺技术上取得显着进步外,Meteor Lake 还将成为英特尔的第一个基于 tile / chiplet 的客户端 CPU,使用 I / O 内核、CPU 内核和 GPU 内核等 tile 模块。

英特尔公布的数据显示,Intel 4 的鳍片间距降至 30 纳米,是 Intel 7 的 34 纳米间距尺寸的 0.88 倍。同样,接触栅之间的间距现在为 50nm,低于之前的 60nm。英特尔声称 Intel 4 的密度是 Intel 7  的 2 倍,或者更具体地说,晶体管的尺寸减少了一半。

此外,新工艺对金属层进行了重大更改。英特尔在其 Intel 7 工艺的最底层用钴代替了铜,该公司认为出于晶体管寿命的原因,这是必要的。然而,从性能的角度来看,钴并没有那么好,长期以来人们一直怀疑钴是英特尔 Intel 7 的主要绊脚石之一。

对于 Intel 4,英特尔仍在使用钴,但现在他们使用的不是纯钴,而是所谓的增强铜 (eCu),即铜包覆钴

性能方面,报道称在 0.65v 的等功率下,Intel 4 的频率与 Intel 7 相比提高了 21.5%。在 0.85v 及以上时,等功率增益接近 10%。

英特尔称,Intel 4 在电源效率方面的收益更大。在等频( 2.1 GHz 左右)下,Intel 4 的功耗降低了 40%。随着频率的增加,收益递减。

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关键词:英特尔Intel 4

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