豪威集团发布业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET,专为手机锂电池电路保护设计

2022/6/28 9:53:45 来源:IT之家 作者:汪淼 责编:汪淼
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IT之家 6 月 28 日消息,MOSFET 是一种在电池包装中的安全保护开关,近日,豪威集团全新推出两款 MOSFET:业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET WNMD2196A 和 SGT 80V N 沟道 MOSFET WNM6008

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据官方介绍,双 N 沟道增强型 MOSFET,WNMD2196A 具有业内同类产品最低内阻,RSS (ON) 低至 1mΩ,专为手机锂电池电路保护设计。WNMD2196A 采用先进的沟槽技术设计,提供卓越的 RSS (ON) 的同时实现低栅极电荷。载流子迁移速度快,阙值电压低,开关速率高,可实现更高的效率和更低的温升

IT之家了解到,WNM6008——80V 高功率 MOSFET,采用最新一代 Shield Gate 技术,针对电信和服务器电源中使用的更高开关频率进行了优化,具备超低 FOM 值(开关应用重要优值系数)。WNM6008 适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。可有效赋能太阳能、电源和电池供电(例如电动代步车)等应用。

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关键词:豪威MOSFET

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