三星公布内存路线图:2027 年 DDR6 内存将突破 10Gbps

2022/10/8 23:14:27 来源:IT之家 作者:孤城 责编:孤城
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IT之家 10 月 8 日消息,据德媒 computerbase 消息,三星在 Samsung Foundry Forum 2022 活动中介绍了其内存路线图。

如上图所示,在即将到来的 2023 年,三星将进入 1bnm 工艺阶段,内存芯片容量将达到 24Gb(3GB)- 32Gb(4GB),原生速度将在 6.4-7.2Gbps。显存方面,新一代 GDDR7 显存将在明年问世,因此 AMD 和英伟达显卡的新一代显卡的中期改款就有可能会用上 GDDR7 显存。

此外,三星还进行了一些长远的设想,如 2026 年推出 DDR6 内存,2027 年即实现原生 10Gbps 的速度

三星也公布了其闪存的路线图,预计将在 2024 年推出 V9 NAND 芯片。

IT之家曾报道,三星在此前的 Tech Day 2022 活动中指出,其第九代 V-NAND 正在开发中,计划于 2024 年量产。到 2030 年,三星设想 NAND 堆叠超过 1,000 层,以更好地支持未来的数据密集型技术。三星还宣布,全球最高容量的 1Tb TLC V-NAND 将于今年年底向客户提供

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关键词:三星内存

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