设置
  • 日夜间
    随系统
    浅色
    深色
  • 主题色

中科院在 CAA 新结构的 3D DRAM 研究取得创新进展

2023/1/10 9:10:18 来源:IT之家 作者:汪淼 责编:汪淼

IT之家 1 月 10 日消息,据中科院微电子研究所消息,随着尺寸的不断微缩,1T1C 结构动态随机存储器(DRAM)的存储电容限制问题愈发显著,导致传统 1T1C-DRAM 面临微缩瓶颈。基于铟镓锌氧(IGZO)晶体管的 2T0C-DRAM 有望突破 1T1C-DRAM 的微缩瓶颈,在 3D DRAM 方面发挥更大的优势

但目前的研究工作都基于平面结构的 IGZO 器件,形成的 2T0C 单元尺寸(大约 20F2)比相同特征尺寸下的 1T1C 单元尺寸(6F2)大很多,使 IGZO-DRAM 缺少密度优势。

针对平面结构 IGZO-DRAM 的密度问题,微电子所微电子重点实验室刘明院士团队在垂直环形沟道结构(Channel-All-Around, CAA)IGZO FET 的基础上,研究了第二层器件堆叠前层间介质层工艺的影响,验证了 CAA IGZO FET 在 2T0C DARM 应用中的可靠性

图片

▲ CAA IGZO FET 的截面电镜图及转移输出曲线

经过优化后的 IGZO FET 表现出优秀的可靠性,经过 10000 秒栅极偏压应力稳定性测试后(包括正偏压与负偏压条件),阈值电压漂移小于 25mV,进行 1012 次写入擦除操作后没有表现出性能劣化。该研究成果有助于推动实现 4FIGZO 2T0C-DRAM 单元。

图片

▲ CAA IGZO FET 的可靠性测试结果

IT之家了解到,基于该成果的文章“Inter-Layer Dielectric Engineering for Monolithic Stacking 4F2-2T0C DRAM with Channel-All-Around (CAA) IGZO FET to Achieve Good Reliability (>104s Bias Stress, >1012 Cycles Endurance)”入选 2022 IEDM。微电子所硕士生陈传科为第一作者,微电子所李泠研究员、耿玓副研究员为通讯作者。

广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,IT之家所有文章均包含本声明。

相关文章

关键词:DRAM中科院

软媒旗下网站: IT之家 辣品 - 超值导购,优惠券 最会买 - 返利返现优惠券 iPhone之家 Win7之家 Win10之家 Win11之家

软媒旗下软件: 魔方 云日历 酷点桌面 Win7优化大师 Win10优化大师 软媒手机APP应用