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显存技术重大突破,消息称 SK 海力士明年将推 2.5D fan-out 封装方案

2023/11/28 12:15:31 来源:IT之家 作者:故渊 责编:故渊

IT之家 11 月 28 日消息,根据韩媒 Business Korea 报道,SK 海力士计划明年发布“2.5D fan-out”集成存储芯片封装方案,实现两个芯片之间的端到端连接。

这种封装方案是将两个 DRAM 芯片水平并排放置,然后将它们组合成一个芯片。这种方案的优势是由于芯片下方没有添加基板,可以让成品微电路更薄。

IT之家援引该韩媒报道,台积电自 2016 年以来一直使用类似的安排来集成不同的芯片,并应用于苹果的处理器生产中,不过存储厂商此前并未关注过这项技术。

HBM 型存储芯片的垂直集成固然可以显著增加接口带宽,但成本高昂,而 SK 海力士研发的“2.5D fan-out”,能有效降低生产 DRAM 芯片成本,预估会在游戏显卡的 GDDR 显存中使用。

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