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大厂减产保价策略奏效,DRAM / NAND 存储芯片 Q4 合约价优于预期

2023/11/29 12:02:46 来源:IT之家 作者:问舟 责编:问舟

IT之家 11 月 29 日消息,虽然双十一多数终端产品销售平淡,但在三大原厂(三星、SK 海力士及美光)大幅减产、控制产出的前提下,存储芯片现货涨价趋势持续,其中 NAND 因亏损较严重,涨幅较为明显。

据中国台湾媒体《工商时报》,存储芯片大厂减产保价策略十分奏效,Q4 合约价报价优于市场预期,其中 DDR5 上涨 15~20%,DDR4 上涨 10~15%,DDR3 上涨 10%,而原先预估仅 5~10%。同时,NAND 每家平均涨幅至少在 20~25%,涨幅明显更高。

另外,三星对 DRAM 正常报价,但在 NAND 部分则暂停报价,同时也不出货,最新报价仍待观察。

图源 Pexels

IT之家查询发现,InSpectrum 最新报价显示,DRAM 现货中 4Gb 和 8Gb DDR4 近一周报价基本持平,但近一月报价已上涨 3.03%和 1.97%。

在 NAND Flash 现货方面,256Gb 周报价基本持平,但和 512Gb TLC Flash 上涨 4.12%,月报价则分别上涨 15.25%和 27.78%。

TrendForce 分析师预计预估,第四季 DRAM 报价将会增长 3~8%,而第三季跌幅为 0~5%;第四季 NAND 报价季增 8~13%,也远优于第三季的跌幅 5~10%。

存储模组厂商透露,目前原厂对四季度 Flash(闪存)供应主打“拖延战术”,原先(模组厂)曾在 9 月试图敲定数百万颗订单,但原厂迟迟不愿放货,就算愿意给货,数量及价格都无法达到满意的目标。虽然终端市场需求已进入淡季,但 Flash 现货市场行情却处于上游热、下游冷的特殊状态,加速 Flash 晶圆各产品全面调涨。尽管短期通路市场库存积压,NAND Flash 晶圆涨势不减反增,主流 512 Gb 现货价单月调涨约 2 成,站上 2.6 美元。

据称,三星第四季度 DRAM 减产幅度达 30%,SK 海力士及美光减产幅度达 20%,原厂对 NAND 的减产幅度更高,预计三大供应商减产将持续至 2024 年中,且资本支出和产出将聚焦于利润更高的部分,如 HBM 和 DDR5。

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关键词:SSD内存闪存存储芯片nanddram

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