日本研发氧化镓制备新技术,成本猛降 99%

2022/4/25 17:01:55 来源:IT之家 作者:远洋 责编:远洋
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IT之家 4 月 25 日消息,据日经新闻报道,该国东北大学吉川彰教授与初创企业合作,研发新一代半导体材料-氧化镓的新制造技术,成本约为传统方法的百分之一。

传统方法是加热使用贵金属铱制造的容器,熔化其中的材料,制造结晶。要制造直径约 15 厘米的实用性结晶,仅容器就需要 3000 万~5000 万日元(约 253 万元人民币),还存在结晶的质量不够稳定等课题。据称由于不需要昂贵的容器等原因,利用新方法能以目前约 100 分之 1 的成本制造氧化镓结晶。

该团队表示将力争在 2 年内制造出直径 6 英寸以上的结晶,推动产业化。

IT之家了解到,氧化镓作为功率半导体新一代材料受到期待,据称氧化镓的电力损耗在理论上仅为硅的约 1/3400、碳化硅的约 1/10。如果纯电动汽车(EV)的马达驱动用电源采用氧化镓制的功率半导体,就算电池容量相同,也能行驶更远距离。C&A 和东北大学的团队将利用新方法降低此前成为瓶颈的生产成本,推动实用化。

TrendForce 预估,因疫情趋缓,所带动的 5G 基地台射频前端、手机充电器及车用能源传输等需求逐步提升,预期今年 GaN 通讯及功率元件营收分别达 6.8 亿和 6100 万美元,年增 30.8% 及 90.6%。

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关键词:半导体氧化镓

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