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电力电子装置的“CPU”:华为开始低调研发IGBT器件

2019/11/29 16:14:50来源:IT之家作者:远洋责编:远洋评论:

IT之家11月29日消息 据集微网报道,从业内人士获悉,华为已开始研发IGBT,目前正在从某国内领先的IGBT厂商中挖人。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

据华为官网显示,IGBT早已成为其UPS电源的核心器件。做为一种双极晶体管复合的器件,IGBT不仅具有易于驱动,控制简单,开关频率高等优点,同时又具备导通电压低,通态电流大,损耗小等技术优势。

据报道,我国功率半导体市场占世界市场的50%以上,是全球最大的IGBT市场,但IGBT产品严重依赖进口,在中高端领域更是90%以上的IGBT器件依赖进口,长期被英飞凌,三菱,富士电机等国外巨头垄断全球场,IGBT国产化需求已是刻不容缓。

据悉,在华为被卷入中美贸易战之前,华为海思主要研发数字芯片,并不涉及功率半导体,华为所需的IGBT产品主要从英飞凌等IGBT原厂处采购。

被美国加入实体清单给了华为警醒,据悉目前在二极管、整流管、mos管等领域,华为正在积极与安世半导体、华微电子等国内厂商合作,加大对国内功率半导体产品的采购量,而在高端IGBT领域,华为却不得不开启自研之路。

值得一提的是,工信部10月8日表示,将持续推进芯片,器件及IGBT模块产业发展。

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