李在镕:三星计划利用全球首个 3 纳米工艺制造芯片

2020/1/2 18:41:01 来源:IT之家 作者:远洋 责编:远洋

IT之家1月2日消息 据韩媒koreaherald报道,三星电子事实上的领导者李在镕周四讨论了该公司将利用全球首个3纳米工艺技术制造芯片的战略。

李在镕当天参观了三星位于京畿道华城的半导体研发中心,这是他在2020年首次正式进行现场管理。李在镕谈到了该公司的计划,该计划旨在使用正在开发中的最新3纳米全栅极(gate-all-around,简称GAA)工艺技术,使全球客户订购的尖端芯片商业化。

GAA被称为当前FinFET技术的升级版,该技术能够使芯片制造商将微芯片的制造工艺进一步提升。

三星去年4月完成了基于极端紫外线技术的5纳米FinFET工艺技术的开发,该公司正在研究下一代纳米工艺技术。三星称,与5纳米制程相比,3纳米GAA技术在逻辑区域效率方面提高了35%以上,功耗降低了50%,性能提高了约30%。

三星发言人说:“李在镕对半导体研发中心的访问,再次凸显了三星承诺成长为非内存领域顶级芯片制造商的承诺。”

去年,三星宣布了一项1118.5亿美元的投资计划,目标是到2030年成为全球最大的芯片系统制造商。

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关键词:三星李在镕

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