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雄关漫道真如铁,长江存储国家存储器基地项目二期开工

2020/6/22 15:28:42来源:IT之家作者:孤城责编:孤城评论:

IT之家6月22日消息 根据长江存储官方的消息,由长江存储实施的国家存储器基地项目二期(土建)于6月20日在武汉东湖高新区开工。

据介绍,长江存储国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设,计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。项目一期于2016年底开工建设,进展顺利,32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产,并成功研制出全球首款128层QLC三维闪存芯片

在开工仪式上,紫光集团、长江存储董事长赵伟国介绍了项目有关情况。他表示,国家存储器基地项目一期开工建设以来,从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂,实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。

IT之家曾报道,4月份,长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND 闪存(型号: X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量,拥有1.6Gb/s高速读写性能和1.33Tb高容量。

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关键词:长江存储二期

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