消息称三星 3nm GAA 工艺良率仍远低于客户要求,试产良率仅 20%

2022/4/18 17:42:16 来源:爱集微 作者:Jenny 责编:问舟

据 DIGITIMES 报道,三星电子的 3nm GAA 工艺良率仍远远落后于其目标。根据一份报道,三星正在努力提高其 3nm GAA 工艺良率,该工艺良率刚刚达到 10% 至 20% 之间。三星 4nm 工艺制造的良率也不尽如人意,仅为 30%-35%。

报道称,三星计划在 2023 年引入第二代 3 纳米工艺(3GAP),届时或将开始积极为代工客户服务。

市场消息人士认为,三星第一代 3nm GAA 工艺将首先用于三星自研芯片的制造,该工艺不太可能被外部客户采用。但该消息人士称,三星的第二代 3nm 工艺将为外部客户的芯片设计做好准备,预计明年开始量产。

该消息人士指出,台积电在转向 GAA 晶体管技术时是否会面临良率问题还有待观察。台积电极有可能拥有基于 GAA 的 2nm,目标是在 2025 年投产。

据称,三星电子规划今年实现 3 纳米制程芯片量产,不过业内传言当前工艺(3GAE)的试产良率不尽如人意,仅达到约两成,低良率带来的高成本,使三星在 3 纳米工艺量产初期可能仅用于自有产品生产。

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关键词:三星芯片工艺量产

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